直讀模擬靜電場(chǎng)描繪儀庫號M408793直讀模擬靜電場(chǎng)描繪儀庫號M408793

主要技術(shù)指標
1.儀器組成：模擬靜電場(chǎng)描繪儀主機、同軸電纜電極板、長(cháng)平行導線(xiàn)電極板、平行板電容電極板、實(shí)驗裝置等；
2.直流供電電壓輸出：DC 0-18.00V連續可調，數字電壓顯示，精度：0.01V，具有短路保|護功能；
3.直流電壓測量：0-19.99V，精度：0.01V；
4.采用|高|分子電極板基材（克服玻璃易|破|缺|陷）；
5.電阻WEI|晶介質(zhì)（耐磨、方便、無(wú)需耗材）；
6.純|銅鍍金電極；
7.鍍金彈性探頭（減小接觸電阻）；
8.等勢線(xiàn)位置橫坐標與縱坐標數字直讀，精度：0.01mm；
9.單層結|構（避免雙層結構不同軸誤差）；
10.標配電極板：同軸電纜、長(cháng)平行導線(xiàn)、平行板電容，電極板可換；
11.教學(xué)實(shí)驗內容：模擬法測繪靜電場(chǎng)。

1.數字位置直讀模擬靜電場(chǎng)描繪；
2.GAO|分子電極板；
3.電阻WEI|晶介質(zhì)；
4.純|銅鍍金電極；
5.鍍金彈性探頭；
6.單層結|構

主要技術(shù)指標
1.儀器組成：模擬靜電場(chǎng)描繪儀主機、同軸電纜電極板、長(cháng)平行導線(xiàn)電極板、平行板電容電極板、實(shí)驗裝置等；
2.直流供電電壓輸出：DC 0-18.00V連續可調，數字電壓顯示，精度：0.01V，具有短路保|護功能；
3.直流電壓測量：0-19.99V，精度：0.01V；
4.采用|高|分子電極板基材（克服玻璃易|破|缺|陷）；
5.電阻WEI|晶介質(zhì)（耐磨、方便、無(wú)需耗材）；
6.純|銅鍍金電極；
7.鍍金彈性探頭（減小接觸電阻）；
8.等勢線(xiàn)位置橫坐標與縱坐標數字直讀，精度：0.01mm；
9.單層結|構（避免雙層結構不同軸誤差）；
10.標配電極板：同軸電纜、長(cháng)平行導線(xiàn)、平行板電容，電極板可換；
11.教學(xué)實(shí)驗內容：模擬法測繪靜電場(chǎng)。

1.數字位置直讀模擬靜電場(chǎng)描繪；
2.GAO|分子電極板；
3.電阻WEI|晶介質(zhì)；
4.純|銅鍍金電極；
5.鍍金彈性探頭；
6.單層結|構